Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
130 mA
Tension Drain Source maximum
50 V
Type de boîtier
SOT-323
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
10Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
0.2 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.2mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.35mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
1mm
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal P, 40 à 90 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 6,36
€ 0,127 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
€ 6,36
€ 0,127 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
50
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
130 mA
Tension Drain Source maximum
50 V
Type de boîtier
SOT-323
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
10Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
0.2 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.2mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.35mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
1mm
Détails du produit


