Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
630 mA
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de boîtier
SOT-523 (SC-89)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
700 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
280 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-6 V, +6 V
Charge de Grille type @ Vgs
0,737 nC @ 4,5 V
Largeur
0.85mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
1.7mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
0.8mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, 12 V à 28 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 4,21
€ 0,042 Each (In a Pack of 100) (hors TVA)
Standard
100
€ 4,21
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
100
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Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
630 mA
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de boîtier
SOT-523 (SC-89)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
700 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
280 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-6 V, +6 V
Charge de Grille type @ Vgs
0,737 nC @ 4,5 V
Largeur
0.85mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
1.7mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
0.8mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
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