MOSFET DiodesZetex canal N/P, SOT-563 280 mA, 620 mA 60 V, 6 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N, P
Courant continu de Drain maximum
280 mA, 620 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
SOT-563
Type de montage
CMS
Nombre de broches
6
Résistance Drain Source maximum
1.7 Ω, 6 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
1000 mW
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
1.25mm
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
1.7mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,28 nC @ 4,5 V, 0,3 nC @ 4,5 V
Taille
0.6mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal N/P, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 113,61
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
600
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Tension Drain Source maximum
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SOT-563
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CMS
Nombre de broches
6
Résistance Drain Source maximum
1.7 Ω, 6 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
1000 mW
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
1.25mm
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
1.7mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,28 nC @ 4,5 V, 0,3 nC @ 4,5 V
Taille
0.6mm
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