Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
7.5 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
TSOT-26
Type de montage
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
42 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
1.75 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
1.6mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.9mm
Charge de Grille type @ Vgs
11,4 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
0.9mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, 30 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 11,14
€ 0,223 Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
Standard
50
€ 11,14
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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50
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DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
7.5 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
TSOT-26
Type de montage
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
42 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
1.75 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
1.6mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.9mm
Charge de Grille type @ Vgs
11,4 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
0.9mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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