Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
11 A
Tension Drain Source maximum
12 V
Type de conditionnement
SMini
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
41 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
0.8V
Tension de seuil minimale de la grille
0.35V
Dissipation de puissance maximum
1.2 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Largeur
1.7mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
50,6 nC @ 8 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.3mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, 12 V à 28 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 13,29
€ 0,266 Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
Standard
50
€ 13,29
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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50
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DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
11 A
Tension Drain Source maximum
12 V
Type de conditionnement
SMini
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
41 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
0.8V
Tension de seuil minimale de la grille
0.35V
Dissipation de puissance maximum
1.2 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Largeur
1.7mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
50,6 nC @ 8 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.3mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
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