MOSFET DiodesZetex canal N, SOT-26 2 A 20 V, 6 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
2 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de boîtier
SOT-26
Type de montage
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
215 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
650 mW
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Largeur
1.7mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
3.1mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
1.3mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal N, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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Prix sur demande
Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
Standard
25
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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25
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SOT-26
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6
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Mode de canal
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1V
Dissipation de puissance maximum
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Largeur
1.7mm
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Si
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
3.1mm
Température d'utilisation maximum
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