MOSFET DiodesZetex canal N, SOIC 8 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
8 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
20 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.6V
Dissipation de puissance maximum
1.46 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
3.95mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
4.95mm
Charge de Grille type @ Vgs
8,7 nC @ 5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1.5mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, 30 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 18,41
€ 0,368 Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
Standard
50
€ 18,41
€ 0,368 Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
50
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
8 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
20 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.6V
Dissipation de puissance maximum
1.46 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
3.95mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
4.95mm
Charge de Grille type @ Vgs
8,7 nC @ 5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1.5mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, 30 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.