MOSFET DiodesZetex canal P, U-DFN2020 6,2 A 20 V, 6 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
6.2 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de boîtier
U-DFN2020
Type de montage
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
75 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.1V
Dissipation de puissance maximum
2,03 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Largeur
2.05mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.05mm
Charge de Grille type @ Vgs
14,4 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
0.58mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal P, 12 V à 25 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
25
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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U-DFN2020
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CMS
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6
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.1V
Dissipation de puissance maximum
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Configuration du transistor
Single
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-12 V, +12 V
Largeur
2.05mm
Matériau du transistor
Si
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1
Longueur
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Charge de Grille type @ Vgs
14,4 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
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