MOSFET DiodesZetex canal P, PowerDI5060-8 11 A 40 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
11 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type de boîtier
PowerDI5060-8
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
15 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
2.1 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Largeur
6mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
47,5 nC @ 5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal P, 40 à 90 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 5,34
€ 0,534 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Tension de seuil maximale de la grille
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Configuration du transistor
Single
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-25 V, +25 V
Largeur
6mm
Matériau du transistor
Si
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1
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5.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
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Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1.1mm
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