MOSFET DiodesZetex canal P, SOIC 3,7 A 40 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
3.7 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type de boîtier
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
55 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
1.8 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
21,5 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
3.95mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
4.95mm
Hauteur
1.5mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal P, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3V
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Isolated
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Largeur
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Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
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