Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de montage
Through Hole
Type de conditionnement
TO-220F
Courant direct continu maximum
30A
Tension inverse de crête répétitive
300V
Configuration de diode
Cathode commune
Type de redressement
Redresseur Schottky
Type diode
Schottky
Nombre de broche
3
Chute minimale de tension directe
1.03V
Nombre d'éléments par circuit
2
Technologie de diode
Schottky
Temps de recouvrement inverse crête
35ns
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
200A
Pays d'origine
China
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, 10 à 60 A, Diodes Inc
Les diodes SBR (Super Barrier Rectifiers) sont des redresseurs nouvelle génération. Le circuit deux terminaisons est doté d'une tension directe (VF) plus basse que les diodes Schottky comparables, tout en possédant les caractéristiques de stabilité thermique et de haute fiabilité des diodes épitaxiales PN.
Diodes and Rectifiers, Diodes Inc
€ 49,36
€ 0,987 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
€ 49,36
€ 0,987 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
---|---|---|
50 - 200 | € 0,987 | € 49,36 |
250 - 950 | € 0,962 | € 48,09 |
1000 - 2450 | € 0,936 | € 46,82 |
2500+ | € 0,913 | € 45,66 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de montage
Through Hole
Type de conditionnement
TO-220F
Courant direct continu maximum
30A
Tension inverse de crête répétitive
300V
Configuration de diode
Cathode commune
Type de redressement
Redresseur Schottky
Type diode
Schottky
Nombre de broche
3
Chute minimale de tension directe
1.03V
Nombre d'éléments par circuit
2
Technologie de diode
Schottky
Temps de recouvrement inverse crête
35ns
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
200A
Pays d'origine
China
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, 10 à 60 A, Diodes Inc
Les diodes SBR (Super Barrier Rectifiers) sont des redresseurs nouvelle génération. Le circuit deux terminaisons est doté d'une tension directe (VF) plus basse que les diodes Schottky comparables, tout en possédant les caractéristiques de stabilité thermique et de haute fiabilité des diodes épitaxiales PN.