Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de montage
CMS
Type d'emballage
SOT-363
Courant direct continu maximum
350mA
Tension inverse de crête répétitive
40V
Configuration de diode
Isolated
Type de redressement
Redresseur Schottky
Type diode
Schottky
Nombre de broche
6
Chute minimale de tension directe
500mV
Nombre d'éléments par circuit
3
Technologie de diode
Schottky
Temps de recouvrement inverse crête
10ns
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
1A
Pays d'origine
China
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, 300 mA à 1 A, Diodes Inc
Les diodes SBR (Super Barrier Rectifiers) sont des redresseurs nouvelle génération. Le dispositif à deux terminaisons est doté d'une tension directe (VF) plus faible que les diodes Schottky comparables, mais possède cependant la stabilité thermique et les caractéristiques de haute fiabilité des diodes épitaxiales PN.
Diodes and Rectifiers, Diodes Inc
€ 12,60
€ 0,252 Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
Standard
50
€ 12,60
€ 0,252 Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
Standard
50
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Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
50 - 550 | € 0,252 | € 12,60 |
600 - 1450 | € 0,113 | € 5,64 |
1500+ | € 0,088 | € 4,40 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de montage
CMS
Type d'emballage
SOT-363
Courant direct continu maximum
350mA
Tension inverse de crête répétitive
40V
Configuration de diode
Isolated
Type de redressement
Redresseur Schottky
Type diode
Schottky
Nombre de broche
6
Chute minimale de tension directe
500mV
Nombre d'éléments par circuit
3
Technologie de diode
Schottky
Temps de recouvrement inverse crête
10ns
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
1A
Pays d'origine
China
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, 300 mA à 1 A, Diodes Inc
Les diodes SBR (Super Barrier Rectifiers) sont des redresseurs nouvelle génération. Le dispositif à deux terminaisons est doté d'une tension directe (VF) plus faible que les diodes Schottky comparables, mais possède cependant la stabilité thermique et les caractéristiques de haute fiabilité des diodes épitaxiales PN.