Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de montage
CMS
Type de conditionnement
SOD-123
Courant direct continu maximum
350mA
Tension inverse de crête répétitive
40V
Configuration de diode
Single
Type de redressement
Redresseur Schottky
Type diode
Schottky
Nombre de broche
2
Chute minimale de tension directe
600mV
Nombre d'éléments par circuit
1
Technologie de diode
Schottky
Temps de recouvrement inverse crête
10ns
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
1.5A
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, 300 mA à 1 A, Diodes Inc
Les diodes SBR (Super Barrier Rectifiers) sont des redresseurs nouvelle génération. Le dispositif à deux terminaisons est doté d'une tension directe (VF) plus faible que les diodes Schottky comparables, mais possède cependant la stabilité thermique et les caractéristiques de haute fiabilité des diodes épitaxiales PN.
Diodes and Rectifiers, Diodes Inc
€ 7,27
€ 0,048 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
150
€ 7,27
€ 0,048 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
150
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
---|---|---|
150 - 725 | € 0,048 | € 1,21 |
750 - 1475 | € 0,046 | € 1,15 |
1500+ | € 0,037 | € 0,92 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de montage
CMS
Type de conditionnement
SOD-123
Courant direct continu maximum
350mA
Tension inverse de crête répétitive
40V
Configuration de diode
Single
Type de redressement
Redresseur Schottky
Type diode
Schottky
Nombre de broche
2
Chute minimale de tension directe
600mV
Nombre d'éléments par circuit
1
Technologie de diode
Schottky
Temps de recouvrement inverse crête
10ns
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
1.5A
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, 300 mA à 1 A, Diodes Inc
Les diodes SBR (Super Barrier Rectifiers) sont des redresseurs nouvelle génération. Le dispositif à deux terminaisons est doté d'une tension directe (VF) plus faible que les diodes Schottky comparables, mais possède cependant la stabilité thermique et les caractéristiques de haute fiabilité des diodes épitaxiales PN.