Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
-0.5 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
-400 V
Type de conditionnement
E ligne
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
0,5 W
Gain en courant DC minimum
50
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
400 V
Tension Emetteur Base maximum
5 V
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
4.77 x 2.41 x 4.01mm
Température d'utilisation maximum
+200 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors haute tension, Diodes Inc
Transistors, Diodes Inc
Prix sur demande
Each (In a Bag of 2000) (hors TVA)
2000
Prix sur demande
Each (In a Bag of 2000) (hors TVA)
2000
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Brand
DiodesZetexType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
-0.5 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
-400 V
Type de conditionnement
E ligne
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
0,5 W
Gain en courant DC minimum
50
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
400 V
Tension Emetteur Base maximum
5 V
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
4.77 x 2.41 x 4.01mm
Température d'utilisation maximum
+200 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit