Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
200 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
2,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
330 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.05mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, 40 à 90 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 1,70
€ 0,341 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 1,70
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
5
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DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
200 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
2,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
330 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.05mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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