MOSFET DiodesZetex canal N, SOT-223 600 mA 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
0.6 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
SOT-223-5
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
4,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
2 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
3.55mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.55mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1.65mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, 100 V à 950 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
10
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
0.6 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
SOT-223-5
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
4,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
2 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
3.55mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.55mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1.65mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, 100 V à 950 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.