Documents techniques
Spécifications
Type de montage
Through Hole
Type de boîtier
DO-41SS
Courant direct continu maximum
1A
Tension inverse de crête répétitive
400V
Configuration de diode
Single
Type de redressement
Recouvrement rapide
Type diode
Jonction au silicium
Nombre de broche
2
Chute minimale de tension directe
1.2V
Nombre d'éléments par circuit
1
Technologie de diode
Silicon Junction
Temps de recouvrement inverse crête
150ns
diamètre
2.72mm
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
30A
Prix sur demande
Each (In a Pack of 200) (hors TVA)
Standard
200
Prix sur demande
Each (In a Pack of 200) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
200
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Documents techniques
Spécifications
Type de montage
Through Hole
Type de boîtier
DO-41SS
Courant direct continu maximum
1A
Tension inverse de crête répétitive
400V
Configuration de diode
Single
Type de redressement
Recouvrement rapide
Type diode
Jonction au silicium
Nombre de broche
2
Chute minimale de tension directe
1.2V
Nombre d'éléments par circuit
1
Technologie de diode
Silicon Junction
Temps de recouvrement inverse crête
150ns
diamètre
2.72mm
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
30A


