Transistor MOSFET Fairchild Semiconductor canal N, TO-220AB 90 A 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum
90 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
TO-220AB
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
10 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
250 W
Tension Grille Source maximum
±30 V
Charge de Grille type @ Vgs
147 nC @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
10.1mm
Largeur
4.7mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
9.4mm
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Prix sur demande
Standard
1
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