IGBT, ISL9V3040P3, , 21 A, 450 V, TO-220AB, 3 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Courant continu de Collecteur maximum
21 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
450 V
Tension Grille Emetteur maximum
±14V
Dissipation de puissance maximum
150000 mW
Type de boîtier
TO-220AB, TO-220FL
Type de fixation
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Dimensions
10.67 x 4.7 x 16.3mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Détails du produit
IGBT discrets, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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€ 14,62
€ 2,923 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
5
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 2,923 | € 14,62 |
| 10 - 95 | € 2,355 | € 11,77 |
| 100 - 495 | € 1,934 | € 9,67 |
| 500 - 995 | € 1,63 | € 8,15 |
| 1000+ | € 1,434 | € 7,17 |
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Type de boîtier
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N
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3
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Single
Dimensions
10.67 x 4.7 x 16.3mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Température d'utilisation maximum
+175 °C
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IGBT discrets, Fairchild Semiconductor
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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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