Documents techniques
Spécifications
Courant continu de Collecteur maximum
21 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
450 V
Tension Grille Emetteur maximum
±14V
Dissipation de puissance maximum
150000 mW
Type de conditionnement
TO-220AB, TO-220FL
Type de montage
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broches
3
Configuration du transistor
Single
Dimensions
10.67 x 4.7 x 16.3mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Détails du produit
IGBT discrets, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
€ 23,52
€ 2,352 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
10
€ 23,52
€ 2,352 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
10
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Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
---|---|---|
10 - 95 | € 2,352 | € 11,76 |
100 - 495 | € 1,931 | € 9,65 |
500 - 995 | € 1,627 | € 8,14 |
1000+ | € 1,433 | € 7,16 |
Documents techniques
Spécifications
Courant continu de Collecteur maximum
21 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
450 V
Tension Grille Emetteur maximum
±14V
Dissipation de puissance maximum
150000 mW
Type de conditionnement
TO-220AB, TO-220FL
Type de montage
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broches
3
Configuration du transistor
Single
Dimensions
10.67 x 4.7 x 16.3mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Détails du produit
IGBT discrets, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.