IGBT, ISL9V3040P3, , 21 A, 450 V, TO-220AB, 3 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Courant continu de Collecteur maximum
21 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
450 V
Tension Grille Emetteur maximum
±14V
Dissipation de puissance maximum
150000 mW
Type de boîtier
TO-220AB, TO-220FL
Type de fixation
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Dimensions
10.67 x 4.7 x 16.3mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Détails du produit
IGBT discrets, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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€ 116,21
€ 2,324 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
50
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 2,324 | € 116,21 |
| 100 - 450 | € 1,906 | € 95,30 |
| 500 - 950 | € 1,606 | € 80,29 |
| 1000 - 2450 | € 1,462 | € 73,08 |
| 2500+ | € 1,425 | € 71,26 |
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Type de canal
N
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3
Configuration du transistor
Single
Dimensions
10.67 x 4.7 x 16.3mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Température d'utilisation maximum
+175 °C
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IGBT discrets, Fairchild Semiconductor
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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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