IGBT, ISL9V3040S3ST, , 21 A, 450 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Courant continu de Collecteur maximum
21 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
450 V
Tension Grille Emetteur maximum
±14V
Dissipation de puissance maximum
150000 mW
Type de boîtier
D2PAK (TO-263)
Type de fixation
CMS
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Dimensions
10.67 x 9.65 x 4.83mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Détails du produit
IGBT discrets, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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€ 23,23
€ 2,323 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
€ 23,23
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
10
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 10 - 95 | € 2,323 | € 11,62 |
| 100 - 245 | € 1,802 | € 9,01 |
| 250 - 495 | € 1,739 | € 8,69 |
| 500+ | € 1,598 | € 7,99 |
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Type de boîtier
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CMS
Type de canal
N
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3
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Single
Dimensions
10.67 x 9.65 x 4.83mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Température d'utilisation maximum
+175 °C
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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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