Module IGBT, 2MBi200VA-060-50, , 200 A, 600 V, M263, 7 broches, Série
Documents techniques
Spécifications
Brand
Fuji ElectricCourant continu de Collecteur maximum
200 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
600 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Dissipation de puissance maximum
650 W
Format
Series
Type de conditionnement
M263
Type de fixation
Panel Mount
Type de canal
N
Nombre de broche
7
Configuration du transistor
Series
Dimensions
94 x 34 x 30mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Détails du produit
Modules IGBT, lot de 2, Fuji Electric
Diaphragme de champ série V de 6ème génération
Diaphragme de champ séries U/U4 de 5ème génération
NPT de 4ème génération série S
IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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Prix sur demande
1
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Series
Type de conditionnement
M263
Type de fixation
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Type de canal
N
Nombre de broche
7
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Series
Dimensions
94 x 34 x 30mm
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Détails du produit
Modules IGBT, lot de 2, Fuji Electric
Diaphragme de champ série V de 6ème génération
Diaphragme de champ séries U/U4 de 5ème génération
NPT de 4ème génération série S
IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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