Module IGBT, 7MBR50VB-120-50, , 50 A, 1200 V, M712, 24 broches, Triphasé
Documents techniques
Spécifications
Brand
Fuji ElectricCourant continu de Collecteur maximum
50 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
1200 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Dissipation de puissance maximum
280 W
Type de boîtier
M712
Format
Pont triphasé
Type de fixation
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broche
24
Configuration du transistor
Triphasé
Dimensions
122 x 62 x 17mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Détails du produit
Modules IGBT, lot de 7, Fuji Electric
Série V
IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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Prix sur demande
1
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Dimensions
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Modules IGBT, lot de 7, Fuji Electric
Série V
IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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