MOSFET Fuji Electric canal N, A-247 30 A 600 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
Fuji ElectricType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
30 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Série
Super J-MOS
Type de boîtier
TO-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
125 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Dissipation de puissance maximum
220000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Largeur
5.03mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.9mm
Charge de Grille type @ Vgs
73 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
20.95mm
Pays d'origine
Japan
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, Super J MOS, Fuji Electric
Transistors MOSFET de puissance à mode d'enrichissement et canal N
- Faible résistance à état passant
- Faible niveau sonore
- Faible perte de commutation
MOSFET Transistors, Fuji Electric
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Prix sur demande
1
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Longueur
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Température d'utilisation maximum
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Hauteur
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