Diode de commutation AEC-Q101 Infineon, Cathode commune, 200 mA 85 V, 3 broches, SOT-23
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonCourant direct maximum If
200mA
Configuration de diode
Cathode commune
Type de produit
Switching Diode
Sous type
Silicon Junction
Type de montage
Surface
Type de Boitier
SOT-23
Nombre de broches
3
Tension directe maximale Vf
1.25V
Dissipation de puissance maximum Pd
250mW
Temps de recouvrement inverse crête trr
4ns
Température minimum d'utilisation
-65°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
2A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
85V
Température d'utilisation maximum
150°C
Normes/homologations
No
Séries
BAV70
Largeur
1.3 mm
Hauteur
1mm
Longueur
2.9mm
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit
Diodes de commutation petits signaux, Infineon
Diodes de commutation à petits signaux et hautes vitesses d'Infineon, avec intensité nominale jusqu'à 1 A et tensions inverses nominales jusqu'à 400 V. Un grand nombre de ces dispositifs sont disponibles en configurations double, triple et quadruple.
Diodes and Rectifiers, Infineon
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
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Surface
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SOT-23
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3
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Dissipation de puissance maximum Pd
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Temps de recouvrement inverse crête trr
4ns
Température minimum d'utilisation
-65°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
2A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
85V
Température d'utilisation maximum
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Normes/homologations
No
Séries
BAV70
Largeur
1.3 mm
Hauteur
1mm
Longueur
2.9mm
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit
Diodes de commutation petits signaux, Infineon
Diodes de commutation à petits signaux et hautes vitesses d'Infineon, avec intensité nominale jusqu'à 1 A et tensions inverses nominales jusqu'à 400 V. Un grand nombre de ces dispositifs sont disponibles en configurations double, triple et quadruple.
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