Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
65 mA
Tension Collecteur Emetteur maximum
12 V
Type de boîtier
SOT-343
Type de montage
CMS
Dissipation de puissance maximum
450 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
20 V
Tension Emetteur Base maximum
2 V
Fréquence de fonctionnement maximum
8000 MHz
Nombre de broche
4
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
0.9 x 2 x 1.25mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Transistors bipolaires RF, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Prix sur demande
Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
Standard
50
Prix sur demande
Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
Standard
50
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Brand
InfineonType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
65 mA
Tension Collecteur Emetteur maximum
12 V
Type de boîtier
SOT-343
Type de montage
CMS
Dissipation de puissance maximum
450 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
20 V
Tension Emetteur Base maximum
2 V
Fréquence de fonctionnement maximum
8000 MHz
Nombre de broche
4
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
0.9 x 2 x 1.25mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit