Transistor bipolaire RF, NPN Simple, 25 mA, 13 V, SOT-343, 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
25 mA
Tension Collecteur Emetteur maximum
13 V
Type de boîtier
SOT-343
Type de fixation
CMS
Dissipation de puissance maximum
100 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
13 V
Tension Emetteur Base maximum
1.2 V
Nombre de broche
4
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
2 x 1.25 x 0.9mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors bipolaires RF SiGe, Infineon
Une gamme de transistors RF bipolaires NPN large bande à très faible bruit d'Infineon. Les circuits hétéro-bipolaires utilisent la technologie de matériau au carbone-silicium-germanium (SiGe:C) d'Infineon et sont particulièrement adaptés pour les applications mobiles dans lesquelles la faible consommation est une exigence clé. Avec des fréquences de transition typiques jusqu'à 65 GHz, ces circuits offrent un haut gain de puissance à des fréquences jusqu'à 10 GHz lorsqu'ils sont utilisés dans les amplificateurs. Les transistors incluent des circuits internes pour la protection ESD et la protection de puissance d'entrée RF excessive.
Bipolar Transistors, Infineon
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€ 504,92
€ 0,168 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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2 x 1.25 x 0.9mm
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Une gamme de transistors RF bipolaires NPN large bande à très faible bruit d'Infineon. Les circuits hétéro-bipolaires utilisent la technologie de matériau au carbone-silicium-germanium (SiGe:C) d'Infineon et sont particulièrement adaptés pour les applications mobiles dans lesquelles la faible consommation est une exigence clé. Avec des fréquences de transition typiques jusqu'à 65 GHz, ces circuits offrent un haut gain de puissance à des fréquences jusqu'à 10 GHz lorsqu'ils sont utilisés dans les amplificateurs. Les transistors incluent des circuits internes pour la protection ESD et la protection de puissance d'entrée RF excessive.
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