Transistor bipolaire, NPN Simple, 35 mA, 2,25 V, SOT-343, 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
35 mA
Tension Collecteur Emetteur maximum
2.25 V
Type de conditionnement
SOT-343
Type de montage
CMS
Dissipation de puissance maximum
75 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
2.9 V
Fréquence de fonctionnement maximum
80 GHz
Nombre de broche
4
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dimensions
2 x 1.25 x 0.8mm
Détails du produit
Transistors bipolaires RF SiGe, Infineon
Une gamme de transistors RF bipolaires NPN large bande à très faible bruit d'Infineon. Les circuits hétéro-bipolaires utilisent la technologie de matériau au carbone-silicium-germanium (SiGe:C) d'Infineon et sont particulièrement adaptés pour les applications mobiles dans lesquelles la faible consommation est une exigence clé. Avec des fréquences de transition typiques jusqu'à 65 GHz, ces circuits offrent un haut gain de puissance à des fréquences jusqu'à 10 GHz lorsqu'ils sont utilisés dans les amplificateurs. Les transistors incluent des circuits internes pour la protection ESD et la protection de puissance d'entrée RF excessive.
Bipolar Transistors, Infineon
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
Standard
50
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Single
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Dimensions
2 x 1.25 x 0.8mm
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Transistors bipolaires RF SiGe, Infineon
Une gamme de transistors RF bipolaires NPN large bande à très faible bruit d'Infineon. Les circuits hétéro-bipolaires utilisent la technologie de matériau au carbone-silicium-germanium (SiGe:C) d'Infineon et sont particulièrement adaptés pour les applications mobiles dans lesquelles la faible consommation est une exigence clé. Avec des fréquences de transition typiques jusqu'à 65 GHz, ces circuits offrent un haut gain de puissance à des fréquences jusqu'à 10 GHz lorsqu'ils sont utilisés dans les amplificateurs. Les transistors incluent des circuits internes pour la protection ESD et la protection de puissance d'entrée RF excessive.
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