Transistor, NPN Simple, 35 mA, 12 V, SOT-23 (TO-236AB), 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
35 mA
Tension Collecteur Emetteur maximum
12 V
Type de conditionnement
SOT-23 (TO-236AB)
Type de montage
CMS
Dissipation de puissance maximum
300 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
15 V
Tension Emetteur Base maximum
2 V
Fréquence de fonctionnement maximum
6 000 MHz
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
1 x 3 x 1.4mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors bipolaires RF, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
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Prix sur demande
Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
3000
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Single
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15 V
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2 V
Fréquence de fonctionnement maximum
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3
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1
Dimensions
1 x 3 x 1.4mm
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