Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
90 mA
Tension Collecteur Emetteur maximum
12 V
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Dissipation de puissance maximum
300 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
20 V
Tension Emetteur Base maximum
2 V
Fréquence de fonctionnement maximum
6 000 MHz
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
1 x 2.9 x 1.3mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Détails du produit
Transistors bipolaires RF, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Prix sur demande
Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
Prix sur demande
Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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Brand
InfineonType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
90 mA
Tension Collecteur Emetteur maximum
12 V
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Dissipation de puissance maximum
300 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
20 V
Tension Emetteur Base maximum
2 V
Fréquence de fonctionnement maximum
6 000 MHz
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
1 x 2.9 x 1.3mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Détails du produit