MOSFET Infineon canal N, TDSON 15,2 A 200 V, 8 broches

N° de stock RS: 906-4400Marque: InfineonN° de pièce Mfr: BSC900N20NS3GATMA1
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Documents techniques

Spécifications

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

15,2 A

Tension Drain Source maximum

200 V

Type de conditionnement

TDSON

Séries

OptiMOS™ 3

Type de montage

CMS

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum

90 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum

62.5 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Largeur

5.35mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

6.1mm

Charge de Grille type @ Vgs

9 nC V @ 10

Taille

1.1mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Tension directe de la diode

1.2V

Détails du produit

Transistors MOSFET d'alimentation Infineon OptiMOS™3, 100 V et au-delà

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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€ 11,80

€ 1,18 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)

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QuantitéPrix unitairePar Paquet
10 - 40€ 1,18€ 11,80
50 - 90€ 1,122€ 11,22
100 - 240€ 1,074€ 10,74
250 - 490€ 1,027€ 10,27
500+€ 0,65€ 6,50

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N

Courant continu de Drain maximum

15,2 A

Tension Drain Source maximum

200 V

Type de conditionnement

TDSON

Séries

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Type de montage

CMS

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum

90 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum

62.5 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Largeur

5.35mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

6.1mm

Charge de Grille type @ Vgs

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Taille

1.1mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Tension directe de la diode

1.2V

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