Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
25 A
Tension Drain Source maximum
1200 V
Série
EasyPACK
Type de boîtier
AG-EASY1B.
Nombre de broche
23
Mode de canal
Enrichissement
Nombre d'éléments par circuit
3
Matériau du transistor
SiC
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Each (In a Tray of 24) (hors TVA)
MOSFET Infineon canal N, AG-EASY1B 25 A 1 200 V, 23 broches
24
Prix sur demande
Each (In a Tray of 24) (hors TVA)
MOSFET Infineon canal N, AG-EASY1B 25 A 1 200 V, 23 broches
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
24
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
25 A
Tension Drain Source maximum
1200 V
Série
EasyPACK
Type de boîtier
AG-EASY1B.
Nombre de broche
23
Mode de canal
Enrichissement
Nombre d'éléments par circuit
3
Matériau du transistor
SiC