Module IGBT, FF450R12KT4HOSA1, , 580 A, 1200 V, Module 62MM, 3 broches, Série
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonCourant continu de Collecteur maximum
580 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
1200 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Dissipation de puissance maximum
2.4 kW
Format
Series
Type de conditionnement
Module 62MM
Type de fixation
Panel Mount
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Series
Dimensions
106.4 x 61.4 x 30.9mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Température d'utilisation maximum
150 °C
Détails du produit
Modules IGBT, Infineon
La gamme de modules IGBT Infineon se caractérise par une faible perte de commutation pour la commutation jusqu'à des fréquences de 60 kHz.
Les IGBT s'étendent sur une gamme de modules d'alimentation tels que les boîtiers ECONOPACK avec émetteur collecteur à 1 200 V, modules Chopper IGBT demi-pont PrimePACK avec NTC jusqu'à 1 600 / 1 700V. Les IGBT PrimePACK peuvent se trouver dans les véhicules industriels, commerciaux, de construction et agricoles. Le canal NTM TRENCHSTOP et les modules IGBT Fieldstop sont adaptés aux applications de commutation immédiate et de commutation progressive telles que les inverseurs, les onduleurs et les variateurs industriels.
Les styles de boîtier incluent : modules 62 mm, EasyPack ECONOPACKTM2/ECONOPACKTM3/ECONOPACKTM4
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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€ 159,40
€ 159,40 Each (hors TVA)
1
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 1 | € 159,40 |
| 2 - 4 | € 151,43 |
| 5+ | € 145,05 |
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Format
Series
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Type de fixation
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Type de canal
N
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3
Configuration du transistor
Series
Dimensions
106.4 x 61.4 x 30.9mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
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Les styles de boîtier incluent : modules 62 mm, EasyPack ECONOPACKTM2/ECONOPACKTM3/ECONOPACKTM4
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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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