Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
200 A
Tension Drain Source maximum
1200 V
Série
CoolSiC
Type de boîtier
AG-EASY2B.
Type de montage
Montage à visser
Résistance Drain Source maximum
0,00825 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5.55V
Nombre d'éléments par circuit
2
Matériau du transistor
SiC
Prix sur demande
Each (In a Tray of 15) (hors TVA)
15
Prix sur demande
Each (In a Tray of 15) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
15
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Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
200 A
Tension Drain Source maximum
1200 V
Série
CoolSiC
Type de boîtier
AG-EASY2B.
Type de montage
Montage à visser
Résistance Drain Source maximum
0,00825 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5.55V
Nombre d'éléments par circuit
2
Matériau du transistor
SiC


