Mémoire FRAM, FM24V02A-G, 256Kbit, 32K x 8 bits, Série-I2C, SOIC, 8 broches, 3,6 V
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonTaille mémoire
256kbit
Configuration
32K x 8 bits
Type d'interface
Série-I2C
Largeur de bus de données
8bit
Temps d'accès aléatoire maximum
450ns
Type de montage
CMS
Type de boîtier
SOIC W
Nombre de broche
8
Dimensions
4.97 x 3.98 x 1.47mm
Longueur
4.97mm
Tension d'alimentation fonctionnement maximum
3.6 V
Largeur
3.98mm
Taille
1.47mm
Température d'utilisation maximum
85 °C
Nombre de bits par mot
8bit
Nombre de mots
32K
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum
2 V
Détails du produit
FRAM, Cypress Semiconductor
La mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) est éco-énergétique et offre la plus grande fiabilité en termes de RAM non volatile à la fois pour les interfaces série et parallèle. Les pièces avec le suffixe A sont conçues pour les applications automobiles et sont certifiées AEC-Q100.
Mémoire vive ferroélectrique non volatile
Vitesse d'écriturerapide
Enduranceélevée
Faible consommation électrique
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
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€ 14,26
€ 7,131 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 7,131 | € 14,26 |
| 10 - 18 | € 5,669 | € 11,34 |
| 20 - 98 | € 5,521 | € 11,04 |
| 100 - 498 | € 5,378 | € 10,76 |
| 500+ | € 5,241 | € 10,48 |
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Largeur de bus de données
8bit
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450ns
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CMS
Type de boîtier
SOIC W
Nombre de broche
8
Dimensions
4.97 x 3.98 x 1.47mm
Longueur
4.97mm
Tension d'alimentation fonctionnement maximum
3.6 V
Largeur
3.98mm
Taille
1.47mm
Température d'utilisation maximum
85 °C
Nombre de bits par mot
8bit
Nombre de mots
32K
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum
2 V
Détails du produit
FRAM, Cypress Semiconductor
La mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) est éco-énergétique et offre la plus grande fiabilité en termes de RAM non volatile à la fois pour les interfaces série et parallèle. Les pièces avec le suffixe A sont conçues pour les applications automobiles et sont certifiées AEC-Q100.
Mémoire vive ferroélectrique non volatile
Vitesse d'écriturerapide
Enduranceélevée
Faible consommation électrique
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FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
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