Mémoire FRAM, FM24V05-G, 512Kbit, 64K x 8 bits, Série-I2C, SOIC, 8 broches, 3,6 V
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonTaille mémoire
512kbit
Configuration
64K x 8 bit
Type d'interface
Série-I2C
Largeur de bus de données
8bit
Temps d'accès aléatoire maximum
450ns
Type de fixation
CMS
Type de boîtier
SOIC W
Nombre de broche
8
Dimensions
4.97 x 3.98 x 1.47mm
Longueur
4.97mm
Tension d'alimentation fonctionnement maximum
3.6 V
Largeur
3.98mm
Hauteur
1.47mm
Température d'utilisation maximum
85 °C
Nombre de bits par mot
8bit
Standard automobile
AEC-Q100
Nombre de mots
64K
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum
2 V
Détails du produit
FRAM, Cypress Semiconductor
La mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) est éco-énergétique et offre la plus grande fiabilité en termes de RAM non volatile à la fois pour les interfaces série et parallèle. Les pièces avec le suffixe A sont conçues pour les applications automobiles et sont certifiées AEC-Q100.
Mémoire vive ferroélectrique non volatile
Vitesse d'écriturerapide
Enduranceélevée
Faible consommation électrique
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 12,65
€ 12,65 Each (hors TVA)
Standard
1
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Standard
1
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 12,65 |
| 10 - 24 | € 10,29 |
| 25 - 99 | € 10,05 |
| 100 - 499 | € 9,77 |
| 500+ | € 9,55 |
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8
Dimensions
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Longueur
4.97mm
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Hauteur
1.47mm
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Vitesse d'écriturerapide
Enduranceélevée
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