Mémoire FRAM, FM25040B-G, 4Kbit, 512 x 8 bits, SPI, SOIC, 8 broches, 5,5 V
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonTaille mémoire
4kbit
Configuration
512 x 8 bits
Type d'interface
SPI
Largeur de bus de données
8bit
Temps d'accès aléatoire maximum
20ns
Type de montage
CMS
Type de conditionnement
SOIC W
Nombre de broches
8
Dimensions
4.97 x 3.98 x 1.48mm
Longueur
4.97mm
Tension d'alimentation fonctionnement maximum
5.5 V
Largeur
3.98mm
Taille
1.48mm
Température d'utilisation maximum
85 °C
Standard automobile
AEC-Q100
Nombre de mots
512
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum
4.5 V
Nombre de bits par mot
8bit
Détails du produit
FRAM, Cypress Semiconductor
La mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) est éco-énergétique et offre la plus grande fiabilité en termes de RAM non volatile à la fois pour les interfaces série et parallèle. Les pièces avec le suffixe A sont conçues pour les applications automobiles et sont certifiées AEC-Q100.
Mémoire vive ferroélectrique non volatile
Vitesse d'écriturerapide
Enduranceélevée
Faible consommation électrique
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
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€ 25,18
€ 1,678 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
15
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Paquet de production (Tube)
15
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 15 - 25 | € 1,678 | € 8,39 |
| 30 - 95 | € 1,627 | € 8,14 |
| 100 - 495 | € 1,54 | € 7,70 |
| 500+ | € 1,435 | € 7,18 |
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Largeur de bus de données
8bit
Temps d'accès aléatoire maximum
20ns
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CMS
Type de conditionnement
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Nombre de broches
8
Dimensions
4.97 x 3.98 x 1.48mm
Longueur
4.97mm
Tension d'alimentation fonctionnement maximum
5.5 V
Largeur
3.98mm
Taille
1.48mm
Température d'utilisation maximum
85 °C
Standard automobile
AEC-Q100
Nombre de mots
512
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum
4.5 V
Nombre de bits par mot
8bit
Détails du produit
FRAM, Cypress Semiconductor
La mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) est éco-énergétique et offre la plus grande fiabilité en termes de RAM non volatile à la fois pour les interfaces série et parallèle. Les pièces avec le suffixe A sont conçues pour les applications automobiles et sont certifiées AEC-Q100.
Mémoire vive ferroélectrique non volatile
Vitesse d'écriturerapide
Enduranceélevée
Faible consommation électrique
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FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
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