Mémoire FRAM, FM25L16B-G, 16Kbit, 2K x 8 bits, SPI, SOIC, 8 broches, 3,6 V
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonTaille mémoire
16kbit
Configuration
2K x 8 bit
Type d'interface
SPI
Largeur de bus de données
8bit
Temps d'accès aléatoire maximum
20ns
Type de montage
CMS
Type de boîtier
SOIC W
Nombre de broche
8
Dimensions
4.97 x 3.98 x 1.48mm
Longueur
4.97mm
Largeur
3.98mm
Tension d'alimentation fonctionnement maximum
3.6 V
Taille
1.48mm
Température d'utilisation maximum
85 °C
Nombre de mots
2K
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum
2.7 V
Nombre de bits par mot
8bit
Standard automobile
AEC-Q100
Pays d'origine
United States
Détails du produit
FRAM, Cypress Semiconductor
La mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) est éco-énergétique et offre la plus grande fiabilité en termes de RAM non volatile à la fois pour les interfaces série et parallèle. Les pièces avec le suffixe A sont conçues pour les applications automobiles et sont certifiées AEC-Q100.
Mémoire vive ferroélectrique non volatile
Vitesse d'écriturerapide
Enduranceélevée
Faible consommation électrique
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
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€ 16,51
€ 1,101 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
15
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Paquet de production (Tube)
15
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 15 - 25 | € 1,101 | € 5,50 |
| 30 - 95 | € 1,059 | € 5,29 |
| 100 - 495 | € 0,943 | € 4,72 |
| 500+ | € 0,918 | € 4,59 |
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InfineonTaille mémoire
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Configuration
2K x 8 bit
Type d'interface
SPI
Largeur de bus de données
8bit
Temps d'accès aléatoire maximum
20ns
Type de montage
CMS
Type de boîtier
SOIC W
Nombre de broche
8
Dimensions
4.97 x 3.98 x 1.48mm
Longueur
4.97mm
Largeur
3.98mm
Tension d'alimentation fonctionnement maximum
3.6 V
Taille
1.48mm
Température d'utilisation maximum
85 °C
Nombre de mots
2K
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum
2.7 V
Nombre de bits par mot
8bit
Standard automobile
AEC-Q100
Pays d'origine
United States
Détails du produit
FRAM, Cypress Semiconductor
La mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) est éco-énergétique et offre la plus grande fiabilité en termes de RAM non volatile à la fois pour les interfaces série et parallèle. Les pièces avec le suffixe A sont conçues pour les applications automobiles et sont certifiées AEC-Q100.
Mémoire vive ferroélectrique non volatile
Vitesse d'écriturerapide
Enduranceélevée
Faible consommation électrique
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
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