Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonTaille mémoire
2Mbit
Configuration
256K x 8 bits
Type d'interface
SPI
Largeur de bus de données
8bit
Temps d'accès aléatoire maximum
16ns
Type de montage
CMS
Type de boîtier
DFN EP
Nombre de broche
8
Dimensions
5 x 6 x 0.7mm
Longueur
6mm
Tension d'alimentation fonctionnement maximum
3.6 V
Largeur
5mm
Hauteur
0.7mm
Température d'utilisation maximum
85 °C
Nombre de bits par mot
8bit
Nombre de mots
256K
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum
2 V
Détails du produit
FRAM, Cypress Semiconductor
La mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) est éco-énergétique et offre la plus grande fiabilité en termes de RAM non volatile à la fois pour les interfaces série et parallèle. Les pièces avec le suffixe A sont conçues pour les applications automobiles et sont certifiées AEC-Q100.
Mémoire vive ferroélectrique non volatile
Vitesse d'écriturerapide
Enduranceélevée
Faible consommation électrique
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 18,05
€ 18,05 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 18,05
€ 18,05 Each (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
1
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 18,05 |
| 10 - 24 | € 14,91 |
| 25 - 99 | € 14,51 |
| 100 - 499 | € 14,16 |
| 500+ | € 13,82 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonTaille mémoire
2Mbit
Configuration
256K x 8 bits
Type d'interface
SPI
Largeur de bus de données
8bit
Temps d'accès aléatoire maximum
16ns
Type de montage
CMS
Type de boîtier
DFN EP
Nombre de broche
8
Dimensions
5 x 6 x 0.7mm
Longueur
6mm
Tension d'alimentation fonctionnement maximum
3.6 V
Largeur
5mm
Hauteur
0.7mm
Température d'utilisation maximum
85 °C
Nombre de bits par mot
8bit
Nombre de mots
256K
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum
2 V
Détails du produit
FRAM, Cypress Semiconductor
La mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) est éco-énergétique et offre la plus grande fiabilité en termes de RAM non volatile à la fois pour les interfaces série et parallèle. Les pièces avec le suffixe A sont conçues pour les applications automobiles et sont certifiées AEC-Q100.
Mémoire vive ferroélectrique non volatile
Vitesse d'écriturerapide
Enduranceélevée
Faible consommation électrique
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.


