Diode traversante Infineon, 22.8A, 1200V, A-220
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de montage
Through Hole
Type de conditionnement
A-220
Courant direct continu maximum
22.8A
Tension inverse de crête répétitive
1200V
Configuration de diode
Single
Type de redressement
Diode Schottky
Type diode
SiC Schottky
Nombre de broches
2 + Tab
Chute minimale de tension directe
2.85V
Nombre d'éléments par circuit
1
Technologie de diode
SiC Schottky
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
70A
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
thinQ! Diode Schottky (SiC) en carbure de silicium, Infineon
L'Infineon thinQ!™ Génération 5 offre une nouvelle technologie de plaquette fine pour diodes barrières Schottky SiC qui améliore les propriétés thermiques. Les circuits de diode Schottky SiC disposent de caractéristiques spécifiques des semi-conducteurs de puissance haute tension telles que des champs de rupture et une conductivité thermique plus élevés, permettant des niveaux de rendement supérieurs. Cette nouvelle génération est adaptée à une utilisation dans les alimentations à découpage et les serveurs haut de gamme dans les télécommunications, les systèmes d'onduleur, les commandes de moteur, les inverseurs solaires, ainsi que les PC Silverbox et les applications d'éclairage.
EMI réduite
Diodes and Rectifiers, Infineon
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€ 26,30
€ 2,63 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
10
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Paquet de production (Tube)
10
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 10 - 24 | € 2,63 |
| 25 - 49 | € 2,52 |
| 50 - 99 | € 2,41 |
| 100+ | € 2,24 |
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Tension inverse de crête répétitive
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Configuration de diode
Single
Type de redressement
Diode Schottky
Type diode
SiC Schottky
Nombre de broches
2 + Tab
Chute minimale de tension directe
2.85V
Nombre d'éléments par circuit
1
Technologie de diode
SiC Schottky
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
70A
Pays d'origine
Malaysia
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thinQ! Diode Schottky (SiC) en carbure de silicium, Infineon
L'Infineon thinQ!™ Génération 5 offre une nouvelle technologie de plaquette fine pour diodes barrières Schottky SiC qui améliore les propriétés thermiques. Les circuits de diode Schottky SiC disposent de caractéristiques spécifiques des semi-conducteurs de puissance haute tension telles que des champs de rupture et une conductivité thermique plus élevés, permettant des niveaux de rendement supérieurs. Cette nouvelle génération est adaptée à une utilisation dans les alimentations à découpage et les serveurs haut de gamme dans les télécommunications, les systèmes d'onduleur, les commandes de moteur, les inverseurs solaires, ainsi que les PC Silverbox et les applications d'éclairage.
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