IGBT, IGB30N60H3ATMA1, , 30 A, 600 V, D2PAK (TO-263), 3+Tab broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonCourant continu de Collecteur maximum
30 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
600 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Dissipation de puissance maximum
187 W
Type de boîtier
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Type de canal
N
Nombre de broche
3+Tab
Configuration du transistor
Single
Dimensions
10.31 x 9.45 x 4.57mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Capacité de grille
1630pF
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Indice énergétique
1.55mJ
Détails du produit
Transistors IGBT Infineon TrenchStop, 600 et 650 V
Une gamme de transistors IGBT d'Infineon, avec des tensions nominales du collecteur-émetteur de 600 et 650 V avec la technologie TrenchStop™. La gamme comprend des circuits avec diode intégrée haute vitesse, antiparallèle à récupération rapide.
• Plage de tensions de l'émetteur-collecteur 600 à 650 V
• VCEsat très faible
• Pertes de mise hors tension faibles
• Courant d'extrémité court
• IEM faible
• Température de jonction maximale 175 °C
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
5
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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InfineonCourant continu de Collecteur maximum
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600 V
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Type de boîtier
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Type de canal
N
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Configuration du transistor
Single
Dimensions
10.31 x 9.45 x 4.57mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Capacité de grille
1630pF
Température d'utilisation maximum
+175 °C
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Détails du produit
Transistors IGBT Infineon TrenchStop, 600 et 650 V
Une gamme de transistors IGBT d'Infineon, avec des tensions nominales du collecteur-émetteur de 600 et 650 V avec la technologie TrenchStop™. La gamme comprend des circuits avec diode intégrée haute vitesse, antiparallèle à récupération rapide.
• Plage de tensions de l'émetteur-collecteur 600 à 650 V
• VCEsat très faible
• Pertes de mise hors tension faibles
• Courant d'extrémité court
• IEM faible
• Température de jonction maximale 175 °C
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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