IGBT, IGP50N60TXKSA1, , 50 A, 600 V, A-220, 3 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonCourant continu de Collecteur maximum
50 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
600 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Dissipation de puissance maximum
333 W
Type de boîtier
TO-220
Type de fixation
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Dimensions
10.36 x 4.57 x 15.95mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Capacité de grille
3140pF
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Indice énergétique
3.6mJ
Détails du produit
Transistors IGBT Infineon TrenchStop, 600 et 650 V
Une gamme de transistors IGBT d'Infineon, avec des tensions nominales du collecteur-émetteur de 600 et 650 V avec la technologie TrenchStop™. La gamme comprend des circuits avec diode intégrée haute vitesse, antiparallèle à récupération rapide.
• Plage de tensions de l'émetteur-collecteur 600 à 650 V
• VCEsat très faible
• Pertes de mise hors tension faibles
• Courant d'extrémité court
• IEM faible
• Température de jonction maximale 175 °C
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 4) (hors TVA)
Standard
4
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
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InfineonCourant continu de Collecteur maximum
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600 V
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Type de boîtier
TO-220
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Through Hole
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N
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3
Configuration du transistor
Single
Dimensions
10.36 x 4.57 x 15.95mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Capacité de grille
3140pF
Température d'utilisation maximum
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Indice énergétique
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Transistors IGBT Infineon TrenchStop, 600 et 650 V
Une gamme de transistors IGBT d'Infineon, avec des tensions nominales du collecteur-émetteur de 600 et 650 V avec la technologie TrenchStop™. La gamme comprend des circuits avec diode intégrée haute vitesse, antiparallèle à récupération rapide.
• Plage de tensions de l'émetteur-collecteur 600 à 650 V
• VCEsat très faible
• Pertes de mise hors tension faibles
• Courant d'extrémité court
• IEM faible
• Température de jonction maximale 175 °C
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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