IGBT, IGW30N60TPXKSA1, , 53 A, 600 V, A-247, 3 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonCourant continu de Collecteur maximum
53 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
600 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Dissipation de puissance maximum
200000 mW
Nombre de transistors
1
Type de conditionnement
TO-247
Type de montage
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Vitesse de découpage
30kHz
Configuration du transistor
Single
Dimensions
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Capacité de grille
1050pF
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Indice énergétique
1.13mJ
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors IGBT Infineon TrenchStop, 600 et 650 V
Une gamme de transistors IGBT d'Infineon, avec des tensions nominales du collecteur-émetteur de 600 et 650 V avec la technologie TrenchStop™. La gamme comprend des circuits avec diode intégrée haute vitesse, antiparallèle à récupération rapide.
• Plage de tensions de l'émetteur-collecteur 600 à 650 V
• VCEsat très faible
• Pertes de mise hors tension faibles
• Courant d'extrémité court
• IEM faible
• Température de jonction maximale 175 °C
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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€ 372,68
€ 1,553 Each (In a Tube of 240) (hors TVA)
240
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
240
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 240 - 240 | € 1,553 | € 372,68 |
| 480 - 480 | € 1,475 | € 354,05 |
| 720+ | € 1,382 | € 331,58 |
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Nombre de transistors
1
Type de conditionnement
TO-247
Type de montage
Through Hole
Type de canal
N
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3
Vitesse de découpage
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Configuration du transistor
Single
Dimensions
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Température de fonctionnement minimum
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Capacité de grille
1050pF
Température d'utilisation maximum
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China
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• VCEsat très faible
• Pertes de mise hors tension faibles
• Courant d'extrémité court
• IEM faible
• Température de jonction maximale 175 °C
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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