IGBT, IGW40T120FKSA1, , 75 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonCourant continu de Collecteur maximum
75 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
1200 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Dissipation de puissance maximum
270 W
Type d'emballage
TO-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Dimensions
16.13 x 21.1 x 5.21mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Température d'utilisation maximum
150 °C
Détails du produit
Transistors IGBT TrenchStop d'Infineon, 1 100 à 1 600 V
Une gamme de transistors IGBT d'Infineon avec des tensions nominales du collecteur-émetteur de 1 100 à 1 600 V comportant la technologie TrenchStop™. La gamme comprend des circuits avec diode intégrée haute vitesse, antiparallèle à récupération rapide.
• Plage de tensions de l'émetteur-collecteur 1 100 à 1 600 V
• VCEsat très faible
• Pertes de mise hors tension faibles
• Courant d'extrémité court
• IEM faible
• Température de jonction maximale 175 °C
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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€ 6,09
€ 6,09 Each (hors TVA)
Standard
1
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Standard
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 6,09 |
| 10 - 24 | € 5,78 |
| 25 - 49 | € 5,54 |
| 50 - 99 | € 5,29 |
| 100+ | € 4,93 |
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Through Hole
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3
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Single
Dimensions
16.13 x 21.1 x 5.21mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
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• VCEsat très faible
• Pertes de mise hors tension faibles
• Courant d'extrémité court
• IEM faible
• Température de jonction maximale 175 °C
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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