IGBT, IGW75N60H3FKSA1, , 75 A, 600 V, A-247, 3 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonCourant continu de Collecteur maximum
75 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
600 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Dissipation de puissance maximum
428 W
Type de boîtier
TO-247
Type de montage
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Dimensions
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Capacité de grille
4620pF
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Indice énergétique
6.2mJ
Détails du produit
Transistors IGBT Infineon TrenchStop, 600 et 650 V
Une gamme de transistors IGBT d'Infineon, avec des tensions nominales du collecteur-émetteur de 600 et 650 V avec la technologie TrenchStop™. La gamme comprend des circuits avec diode intégrée haute vitesse, antiparallèle à récupération rapide.
• Plage de tensions de l'émetteur-collecteur 600 à 650 V
• VCEsat très faible
• Pertes de mise hors tension faibles
• Courant d'extrémité court
• IEM faible
• Température de jonction maximale 175 °C
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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€ 40,69
€ 4,069 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
10
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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10
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 10 - 18 | € 4,069 | € 8,14 |
| 20 - 48 | € 3,785 | € 7,57 |
| 50 - 98 | € 3,552 | € 7,10 |
| 100+ | € 3,313 | € 6,63 |
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75 A
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600 V
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428 W
Type de boîtier
TO-247
Type de montage
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Dimensions
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Capacité de grille
4620pF
Température d'utilisation maximum
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Transistors IGBT Infineon TrenchStop, 600 et 650 V
Une gamme de transistors IGBT d'Infineon, avec des tensions nominales du collecteur-émetteur de 600 et 650 V avec la technologie TrenchStop™. La gamme comprend des circuits avec diode intégrée haute vitesse, antiparallèle à récupération rapide.
• Plage de tensions de l'émetteur-collecteur 600 à 650 V
• VCEsat très faible
• Pertes de mise hors tension faibles
• Courant d'extrémité court
• IEM faible
• Température de jonction maximale 175 °C
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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