IGBT, IKP15N60TXKSA1, , 26 A, 600 V, A-220, 3 broches, Simple

N° de stock RS: 110-7783Marque: InfineonN° de pièce Mfr: IKP15N60TXKSA1
brand-logo
Tout voir dans IGBTs

Documents techniques

Spécifications

Courant continu de Collecteur maximum

26 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

600 V

Tension Grille Emetteur maximum

±20V

Dissipation de puissance maximum

130 W

Type de boîtier

TO-220

Type de montage

Through Hole

Type de canal

N

Nombre de broche

3

Configuration du transistor

Single

Dimensions

10.36 x 4.57 x 15.95mm

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Indice énergétique

0.81mJ

Température de fonctionnement minimum

-40 °C

Capacité de grille

860pF

Détails du produit

Transistors IGBT Infineon TrenchStop, 600 et 650 V

Une gamme de transistors IGBT d'Infineon, avec des tensions nominales du collecteur-émetteur de 600 et 650 V avec la technologie TrenchStop™. La gamme comprend des circuits avec diode intégrée haute vitesse, antiparallèle à récupération rapide.

• Plage de tensions de l'émetteur-collecteur 600 à 650 V
• VCEsat très faible
• Pertes de mise hors tension faibles
• Courant d'extrémité court
• IEM faible
• Température de jonction maximale 175 °C

IGBT Discretes & Modules, Infineon

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus

€ 8,84

€ 0,884 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)

IGBT, IKP15N60TXKSA1, , 26 A, 600 V, A-220, 3 broches, Simple
Sélectionner le type d'emballage

€ 8,84

€ 0,884 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)

IGBT, IKP15N60TXKSA1, , 26 A, 600 V, A-220, 3 broches, Simple

Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

Sélectionner le type d'emballage

Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

QuantitéPrix unitairePar Paquet
10 - 40€ 0,884€ 8,84
50 - 90€ 0,84€ 8,40
100 - 240€ 0,805€ 8,05
250 - 490€ 0,769€ 7,69
500+€ 0,716€ 7,16

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus

Documents techniques

Spécifications

Courant continu de Collecteur maximum

26 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

600 V

Tension Grille Emetteur maximum

±20V

Dissipation de puissance maximum

130 W

Type de boîtier

TO-220

Type de montage

Through Hole

Type de canal

N

Nombre de broche

3

Configuration du transistor

Single

Dimensions

10.36 x 4.57 x 15.95mm

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Indice énergétique

0.81mJ

Température de fonctionnement minimum

-40 °C

Capacité de grille

860pF

Détails du produit

Transistors IGBT Infineon TrenchStop, 600 et 650 V

Une gamme de transistors IGBT d'Infineon, avec des tensions nominales du collecteur-émetteur de 600 et 650 V avec la technologie TrenchStop™. La gamme comprend des circuits avec diode intégrée haute vitesse, antiparallèle à récupération rapide.

• Plage de tensions de l'émetteur-collecteur 600 à 650 V
• VCEsat très faible
• Pertes de mise hors tension faibles
• Courant d'extrémité court
• IEM faible
• Température de jonction maximale 175 °C

IGBT Discretes & Modules, Infineon

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus