Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonCourant continu de Collecteur maximum
26 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
600 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Dissipation de puissance maximum
130 W
Type de boîtier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Dimensions
10.36 x 4.57 x 15.95mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Indice énergétique
0.81mJ
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Capacité de grille
860pF
Détails du produit
Transistors IGBT Infineon TrenchStop, 600 et 650 V
Une gamme de transistors IGBT d'Infineon, avec des tensions nominales du collecteur-émetteur de 600 et 650 V avec la technologie TrenchStop™. La gamme comprend des circuits avec diode intégrée haute vitesse, antiparallèle à récupération rapide.
Plage de tensions de l'émetteur-collecteur 600 à 650 V
VCEsat très faible
Pertes de mise hors tension faibles
Courant d'extrémité court
IEM faible
Température de jonction maximale 175 °C
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
€ 8,84
€ 0,884 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
€ 8,84
€ 0,884 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
10
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 0,884 | € 8,84 |
| 50 - 90 | € 0,84 | € 8,40 |
| 100 - 240 | € 0,805 | € 8,05 |
| 250 - 490 | € 0,769 | € 7,69 |
| 500+ | € 0,716 | € 7,16 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonCourant continu de Collecteur maximum
26 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
600 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Dissipation de puissance maximum
130 W
Type de boîtier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Dimensions
10.36 x 4.57 x 15.95mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Indice énergétique
0.81mJ
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Capacité de grille
860pF
Détails du produit
Transistors IGBT Infineon TrenchStop, 600 et 650 V
Une gamme de transistors IGBT d'Infineon, avec des tensions nominales du collecteur-émetteur de 600 et 650 V avec la technologie TrenchStop™. La gamme comprend des circuits avec diode intégrée haute vitesse, antiparallèle à récupération rapide.
Plage de tensions de l'émetteur-collecteur 600 à 650 V
VCEsat très faible
Pertes de mise hors tension faibles
Courant d'extrémité court
IEM faible
Température de jonction maximale 175 °C
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.


