IGBT, IKW25N120H3FKSA1, , 50 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonCourant continu de Collecteur maximum
50 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
1200 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Dissipation de puissance maximum
326 W
Type de conditionnement
TO-247
Type de montage
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Dimensions
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Capacité de grille
1430pF
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Indice énergétique
4.3mJ
Détails du produit
Transistors IGBT TrenchStop d'Infineon, 1 100 à 1 600 V
Une gamme de transistors IGBT d'Infineon avec des tensions nominales du collecteur-émetteur de 1 100 à 1 600 V comportant la technologie TrenchStop™. La gamme comprend des circuits avec diode intégrée haute vitesse, antiparallèle à récupération rapide.
• Plage de tensions de l'émetteur-collecteur 1 100 à 1 600 V
• VCEsat très faible
• Pertes de mise hors tension faibles
• Courant d'extrémité court
• IEM faible
• Température de jonction maximale 175 °C
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 26,72
€ 4,453 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
6
€ 26,72
€ 4,453 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
6
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 6 - 18 | € 4,453 | € 8,91 |
| 20 - 38 | € 4,23 | € 8,46 |
| 40 - 98 | € 4,042 | € 8,08 |
| 100+ | € 3,471 | € 6,94 |
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonCourant continu de Collecteur maximum
50 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
1200 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Dissipation de puissance maximum
326 W
Type de conditionnement
TO-247
Type de montage
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Dimensions
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Capacité de grille
1430pF
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Indice énergétique
4.3mJ
Détails du produit
Transistors IGBT TrenchStop d'Infineon, 1 100 à 1 600 V
Une gamme de transistors IGBT d'Infineon avec des tensions nominales du collecteur-émetteur de 1 100 à 1 600 V comportant la technologie TrenchStop™. La gamme comprend des circuits avec diode intégrée haute vitesse, antiparallèle à récupération rapide.
• Plage de tensions de l'émetteur-collecteur 1 100 à 1 600 V
• VCEsat très faible
• Pertes de mise hors tension faibles
• Courant d'extrémité court
• IEM faible
• Température de jonction maximale 175 °C
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.