MOSFET Infineon canal N, A-220 13 A 550 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
13 A
Tension Drain Source maximum
550 V
Séries
CoolMOS™ CE
Type de conditionnement
A-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
280 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
30,4 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.65mm
Charge de Grille type @ Vgs
32,6 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
4.9mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Tension directe de la diode
0.85V
Taille
16.15mm
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance Infineon CoolMOS™ CE
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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Prix sur demande
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
5
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N
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Through Hole
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3
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
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Configuration du transistor
Single
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±30 V
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1
Longueur
10.65mm
Charge de Grille type @ Vgs
32,6 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
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Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Tension directe de la diode
0.85V
Taille
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Transistor MOSFET de puissance Infineon CoolMOS™ CE
MOSFET Transistors, Infineon
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