MOSFET Infineon canal N, D2PAK (TO-263) 17 A 250 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
17 A
Tension Drain Source maximum
250 V
Type de boîtier
D2PAK (TO-263)
Série
OptiMOS™-T
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
100 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
107 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
14 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
9.25mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10mm
Taille
4.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistors de puissance MOSFET OptiMOS™T d'Infineon
Les produits OptiMOS™ sont disponibles dans des boîtiers haute performance pour gérer les applications les plus difficiles ce qui donne une flexibilité totale dans les espaces réduits. Ces produits d'Infineon sont conçus pour répondre aux exigences de rendement énergétique et de densité de puissance des normes de régulation de tension des applications informatiques plus pointues de la prochaine génération et pour les dépasser.
Canal N - Mode d'enrichissement
Certifié AEC-Q101 automobile
MSL1 soudure par refusion jusqu'à 260 °C
Température d'utilisation de 175 °C
Produit vert (conforme à la norme RoHS)
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 26,94
€ 1,347 Each (In a Pack of 20) (hors TVA)
Standard
20
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Série
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
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107 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
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Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
9.25mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10mm
Taille
4.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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Canal N - Mode d'enrichissement
Certifié AEC-Q101 automobile
MSL1 soudure par refusion jusqu'à 260 °C
Température d'utilisation de 175 °C
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